Intel & Micron sortent une nouvelle mémoire 1000x plus rapide
Pour réaliser cet exploit, les sociétés ont abandonné les transistors pour une technologie appelée 3D XPoint (« cross point » en anglais), basée sur les propriétés de deux matériaux dont on ne sait pas encore grand-chose. Le résultat, c’est la possibilité de changer l’état de chaque élément de stockage 1000 fois plus rapidement qu’auparavant et d’augmenter le nombre de cycles supportés par 1000.
La densité a quant à elle été multipliée par 10 et les unités de stockages sont pour l’instant prévues pour faire 128 Go chacune. Dans le futur, il sera possible d’augmenter la taille de chaque unité. Celles-ci pouvant bien sûr être assemblées pour concevoir des supports de stockage avec de grosses capacités.
Intel et Micron présentent cette avancée comme la première d’importance depuis 1989, soit déjà plus de 25 ans. Et il ne s’agit pas d’une technologie attendue pour 2020 : les deux entreprises expliquent que la production de masse a déjà débuté et que les ventes débuteront dès 2016.
Pas de prix annoncé, mais comme souvent pour les nouvelles technologies, les prix pourraient être élevés avant de baisser avec la diffusion en cas de succès.
– Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
