Un tiers plus vite chez AMD

Le symposium VLSI de Kyoto qui débutera le 11 juin 2003 devrait voir la présentation officielle d’un progrès conséquent en ce qui concerne le process de fabrication des transistors. En effet, AMD annonce avoir développé un procédé de fabrication baptisé Fully Depleted Sillicon-On-Insulator, améliorant la vitesse de fonctionnement du plus rapide des transistors PMOS de l’ordre de 30%. Applicable d’ici deux ans environ, ce qui pourrait constituer une avancée majeure devrait permettre “moins de déperdition électrique et un voltage moins élevé” selon Craig Sander, en charge du développement de la technologie processeurs chez AMD.
Reste à savoir dans quel type de système, embarqué ou non, celle-ci sera intégré et si elle aura des retombées sur l’industrie électronique toute entière, ne serait-ce qu’en aiguillonnant la concurence…
– Des transistors 30 % plus rapides chez AMD