Goophone, l’inspiration chinoise
Si l’on voulait une preuve de l’étonnante vitalité de l’industrie manufacturière chinoise, on ne pourrait pas trouver meilleure illustration que le Goophone, inspiration méticuleuse des premiers éléments de coque du supposé iPhone 5 déjà sortis sur la toile.
L’appareil s’orne d’une façade étrangement familière. Mais foin de mauvais esprit, et comme l’aurait dit Steve Jobs lui-même, “l’imitation est la plus sincère forme de flatterie” (même si c’est Charles Caleb Colton qui est l’auteur de cette maxime).
Comment pourrait-on s’y tromper par ailleurs ? Un superbe logo en abeille orne le dos de l’appareil, ce qui ne permet aucunement la confusion avec l’iPone, tandis que scrutée à la loupe, la finition apparaît bien en retrait des standards habituels d’Apple.
Et puis, impossible là encore de confondre les écrans, cette inspiration “iPhonique” alignant un écran de 3,5 pouces alors que l’iPhone 5 est supposé lui afficher un 4 pouces flambant neuf.
Pour aller encore plus loin, si possible, dans la différence, notons le processeur anémique ARM MT6575 à 1 Ghz et l’ APN de 5 mégapixels dont on imagine aisément la qualité de prise de vue.
Cette pièce d’électronique est une parfaite illustration qu’ils est possible de s’inspirer du travail d’Apple sans sombrer dans le clone parfait qui seul garantit la contrefaçon. Et puis, l’iPhone 5 n’est pas encore sorti, ce modèle aux courbes déjà célèbres est donc en quelque sorte un prior art chinois sur le futur iPhone 5 d’Apple.
A côté, les Galaxy S1 et S2 de Samsung, reconnus coupables d’enfreindre les brevets de design d’Apple, semblent finalement de mauvaises inspirations frileuses et sans âme. Il serait donc possible d’aller beaucoup plus loin sans dépasser la ligne rouge dessinée par certains, une ligne certes très près du design original de l’iPhone, mais si loin en même temps (logo, taille d’écran , etc.)
PS : avertissons les lecteurs que ceux qui auront crû déceler une quelconque ironie dans les propos tenus plus haut ne font que du mauvais esprit.
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